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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김동준 (한양대학교 금속공학과) 강대술 (한양대학교 금속공학과) 강성군 (한양대학교 재료공학과) 김헌도 (현대전자[주) 박형호 (전자통신 연구소) 박종완 (한양대학교 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제8호
발행연도
1994.1
수록면
855 - 860 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1994

급속열처리시 Ta-silicide박막 형성에 미치는 불순물 인의 영향
김동준 ,  강대술 ,  강성군 외 3명 한국재료학회지 1994.01 학술저널

1992

RTA 에 의한 Ta-silicide 형성시 불순물 인이 미치는 영향
김동준 ,  강대술 ,  박종완 한국재료학회 학술발표대회 1992.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Polycide구조로서의 Ta-silicide박막을 제작하고 Polysilicon기판에 주입된 불순물 양의 변화가 Ta-silicide형성에 미치는 영향을 조사하였다. RTA처리시 Ta silicide상은 불순물 양의 증가($1 \times 10^{13}\to 5 \times 10^{15}$/ions/$\textrm{cm}^2$)에 관계없이 $800^{\circ}C$에서 형성되기 시작하여 $1000^{\circ}C$이후 안정한 silicide박막을 형성하였다. 그러나 XRD분석결과 불순물 양이 증가할수록 Ta-silicide상의 intensity는 감소하는 경향을 나타내었고 또 SEM(cross sectional view)분석결과 silicide 형성초기온도인 $800^{\circ}C$에서는 불순물 양이 많은 시편에서 silicidation이 활발히 진척되지 못하였음을 관찰할 수 있었다. 이후 열처리 온도가 증가하면서 이러한 차이는 적어져 $1000^{\circ}C$에서는 불순물의 증가에 따른 영향이 미세해짐을 알 수 있었다. 따라서 주입된 불순물 양의 증가($1 \times 10^{13}\to 5 \times 10^{15}$/ions/$\textrm{cm}^2$)는 Ta-silicide형성시 고온에서는 큰 영향을 미치지 못하나 silicide형성초기온도에서 silicidation을 감소시키는 것으로 생각된다.

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