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저자정보
배인호 (영남대학교 물리학과) 이정열 (영남대학교 물리학과) 김인수 (영남대학교 물리학과) 이철욱 (영남대학교 물리학과) 최현태 (영남대학교 물리학과) 이상윤 (경북대학교 물리학과) 한병국 (경산대학교 물리학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제6호
발행연도
1994.1
수록면
723 - 729 (7page)

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Si이 고농도로 첨가된 n-GaAs(100)의 Photoreflectance(PR)에 대하여 조사하였다. PR 응답은 변조빔 세기, 변조 주파수 및 온도에 의존함음 알았다. 관측된 Frantz-Keldysh oscillation(FKO)으로 부터, 띠간격 에너지($E_o$)와 표면전장(($E_s$)을 결정하였다. 온도가 상온에서 77K로 감소시킴에 따라, 띠간격 에너지는 증가하는 반면에 , 표면전장은 감소한다. 결정성은 $500^{\circ}C$에서 5분간 열처리후 크게 향상되었다.

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