저온 Mbe 방법으로 성장한 Undoped 및 Si-Doped GaAs Layer ( Undoped and Si-Doped Gaas Layer Grown at Low Temperature by Molecular Beam Epitaxy )

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Undoped / Doped ( n-type ) a-Si：H 박막 저항의 광학적 특성 연구 ( A Study on Optical Properties of Undoped / Doped ( n-type ) a-Si：H Thin Film Resistance )

안인호 ,  한민구 ,  이정한

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

SI GaAs : Cr과 Undoped GaAs의 깊은 준위 ( Deep Levels in Semi-Insulating GaAs : Cr and Undoped GaAs )

이진구

전자공학회논문지

1988 .11

MBE에 의한 GaAs 에피택셜층 성장 ( GaAs Epitaxial Layer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이재진 ,  정관수 외 2명

전자공학회지

1985 .11

Si-doped GaAs의 수소화 처리

오태석 ,  주웅길 ,  이번 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Undoped 표면층을 갖는 전력용 GaAs MESFET 의 제작에 관한 연구 ( A Study on Fabrications of GaAs Power MESFETs with an Undoped Surface Layer )

김상명 ,  이일형 ,  신석현 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .01

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

Heavily Si-Doped GaAs

Nam Young Lee ,  Chul Lee ,  Jae Eun Kim 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

MBE에 의한 GaAs Epitaxial Layer 의 Su Doping효과 ( Su Doping Effect in GaAs films Grown by MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

P-CVD에 의한 Undoped a-Si : H 박막의 증착 ( undoped a-Si : H thin films by Plasma Deposition )

이정한 ,  장병수

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

P-CVD에 의한 Undoped a-Si:H 박막의 증착

이정한 ,  장병수

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

델타 도핑한 P형 SiC막의 평가

김태성 ,  정우성 ,  남해곤

한국태양에너지학회 논문집

1990 .12

MBE에 의하여 성장된 GaAs 에피층의 특성 ( Characteristics of GaAs Epilayer Grown by Molecular Beam Epitaxy )

정관수 ,  정학기 ,  이문기 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

MBE에 의한 porous Si 위에 GaAs 성장 ( The Growth of GaAs epi layer on porous Si MBE )

강태원 ,  홍치유 ,  신수동 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장 ( GaAs Epilayer Growth by Molecular Beam Epitaxy )

정학기 ,  이문기 ,  김봉열 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

C2-LTS System 제작 및 MBE로 성장한 Sn-doped GaAs의 Deep Level ( Fabrication of the C2-DLTS System and Deep Levels In Sn-doped GaAs Grown by MBE )

김문덕 ,  홍치유 ,  강태원

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12