Mbe법에 의하여 성장된 GaAs / AlGaAs 다양자 우물 시료의 photoreflectance 특성 연구 ( Photoreflectance Characterization of the GaAs / AlGaAs Multiquantum Well Grown by Mbe )

홍치유 ,  강태원 ,  김득녕 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

MBE 방법에 의한 S1 위에 GaAs 성장

강태원 ,  임재영 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

$ZnS_{0.24}Se_{0.76}$의 photoreflectance 특성 연구

유재인 ,  김동렬 ,  이제훈

한국레이저가공학회지

2004 .01

MBE에 의한 GaAs 에피택셜 성장 ( 2 ) ( GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE ( 2 ) )

강태원 ,  이재진 ,  김영함 외 2명

전자공학회논문지

1986 .05

MBE에 의해 성장된 Heteroface AlGaAs/GaAs 태양전지 ( Heteroface AlGaAs/GaAs Solar Cells grown by MBE )

장호성 ,  임성규

전자공학회논문지

1990 .01

GaAs-AI GaAs Multi-Quantum Well Laser ; MBE Growth and Characterization ( GaAs-AlGaAs Multi-Quantum Well Laser : MBE Growth and Characterization )

우덕하 ,  이정승 ,  김대욱 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

MBE 방법에 의한 Si 위에 GaAs 성장 ( Growth of GaAs on Si by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  이재진 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

Si 기판위에 MBE로 성장된 GaAs 박막의 초기성장에 관한 연구

남산 ,  김상기 ,  조경익 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs / GaAs 양자우물구조 ( AlGaAs / GaAs Quantum Well Structures Grown by Low-pressure MOCVD )

정동호 ,  정윤하 ,  김광일 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

MBE에 의한 GaAs 에피층 성장을 위한 사전처리 과정 ( Preprocess of GaAs Epitaxial Layer Growth by MBE )

강태원 ,  이재진 ,  홍치유 외 2명

전자공학회논문지

1986 .03

Short Period Oscillation Near GaAs Band-Gap Energy in Photoreflectance of the Selectively Doped GaAs

In Sun Hwang ,  Jae Eun Kim ,  Hae Yong Pa 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

선택적 용액식각을 이용한 AlGaAs 렌즈 제작 및 AlGaAs / GaAs LED에의 응용 ( Fabrication of AlGaAs Lenses and AlGaAs / GaAs LED using the Selective Meltback Effect )

유태경 ,  함성호 ,  권영세

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

저압 MOCVD법을 이용한 AlGaAs/GaAs 양자 우물 구조의 성장 및 특성

鄭東皓 ,  丁潤夏 ,  金光一 외 1명

전기학회논문지

1990 .06

표면 반사형 GaAs / AlGaAs 다중 양자 우물 전광 스위치의 해석 ( Analysis of Surface Reflection Type GaAs / AlGaAs Multiple Quantum Well All-Optical Switches )

최용호 ,  최우영

한국통신학회 기타 간행물

1998 .01

GaAs/AlGaAs 광위상 변조기의 제작과 측정

김병성 ,  정영철 ,  변영태 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

MBE에 의해 성장한 GaAs에피층의 Hall Effect ( Hall Effect of GaAs Epi-Layer Grown by MBE )

임재영 ,  강태원 ,  홍치유 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

MBE로 성장된 HEMT에서 Si : AlGaAs층의 주된 깊은 준위 측정 ( Characterization of Dominant Deep Levels in the Si-Doped AlGaAs Layer of MBE Grown HEMT`S )

배동건 ,  정상구

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

GaAs 및 AlGaAs 완충층을 이용한 GaAs MESFET 제작 ( GaAs MEFETs Using GaAs and AlGaAs Buffer Layers )

곽동화 ,  이희철

전자공학회논문지-A

1994 .12

고준위 도핑된 AlGaAs/GaAs 양자 우물의 충돌 이온화율 ( Impact Ionization Rate of the Highly-Doped AlGaAs/GaAs Quantum Well )

윤기정 ,  황성범 ,  송정근 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .04

고준위 도핑된 AlGaAs / GaAs 양자 우물의 충돌 이온화율 ( Impact Ionization Rate of the Highly-Doped AlGaAs / GaAs Quantum Well )

윤기정 ,  황성범 ,  송정근 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01