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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.9
- 수록면
- 137 - 146 (10page)
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In this paper the current status of manufacturing technologies for GaAs/Si solar cell were reviwed and provied new MOCVD. In the manufacturing process of GaAs/Si solar cells and an experiment to get the high efficiency GaAs solar cells, we must investigate the optimum growth conditions to get high quality GaAs films on Si substrates by MOCVD. The GaAs on Si substrates has been recognized as a lightweight altenative to pure substrate for space applicaton. Because its density is less the half of GaAs or Ge.So GaAs/Si has twofold weight advantage to GaAs monolithic cell. The theoretical conversion efficiecy limit of tandem GaAs/Si solar cell is 32% under AM 0 and 25℃ condition. It was concluded that the development of cost effective MOCVD technologies shoud be ahead GaAs solar cells for achived move high efficiency ill-V solar cells involving tandem structure.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 특성 측정
4. 결론
참고문헌
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