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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
류창우 (경북대학교 전자.전기공학부) 심준환 (경북대학교 전자.전기공학부) 이정희 (경북대학교 전자.전기공학부) 이종현 (경북대학교 전자.전기공학부) 배영호 (산업과학기술연구소) 허증수 (경북대학교 금속공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제6권 제5호
발행연도
1996.1
수록면
489 - 493 (5page)

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1996

다공질 실리콘을 이용한 저온 산화막의제조
류창우 ,  심준환 ,  이정희 외 3명 한국재료학회지 1996.01 학술저널

1995

다공질 실리콘을 이용한 저온 산화막의 제조
류창우 ,  심준환 ,  배영호 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1995.12 학술대회자료
다공질 실리콘을 이용한 저온 산화막의 제조 ( Realization of Low Temperature Oxide Using Porous Silico )
류창우 ,  심준환 ,  배영호 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1995.11 학술대회자료

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다공질 실리콘층(Porous Silicon LayerLPSL)을 사용하여 저온 열산화 (50$0^{\circ}C$, 1시간)와 급속 열산화공정(rapid thermal oxidationLRTO)(115$0^{\circ}C$, 1분)을 통하여 저온 산화막을 제조하였다. 제조된 산화막의 특성을 IR흡수 스펙트럼, C-V 곡선, 절연파괴전압, 누설전류, 그리고 굴절률을 조사함으로써 알아보았다. 절연파괴전압은 2.7MV/cm, 누설전류는 0-50V 범위에서 100-500pA의 값을 보였다. 산화막의 굴절률은 1.49의 값으로서 열산화막의 굴절률에 근접한 값을 나타냈다. 이 결과로부터 다공질 실리콘층을 저온산화막으로 제조할 때, RTO공정이 산화막의 치밀화(densification)에 크게 기여함을 알 수 있었다.

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