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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC 2015
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 366 - 369 (4page)
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This paper analyzes the influence of contact boundary on bulk resistance in hexagonal shaped source/drain regions of FinFETs. FinFET structures have 3 dimensional source/drain regions which make the resistance modeling more challenging than that of planar MOSFETs. The resistance can be divided into extrinsic resistance components, Rcon, Rbulk, Rspr, and Rsh. TCAD analysis results show that the surrounding contact shows minimum contact resistance (Rcon) and bulk resistance (Rbulk). Also, increasing contact area makes the bulk resistance larger, whereas the contact resistance smaller. But the decrement of the resistance is relatively small in bulk resistance case. Finally, we demonstrate that surrounding contact minimizes both contact and bulk resistance.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Simulation Environment
3. Modeling Domain Determination
4. Contact Type Determination
5. Effect of the Contact Area
6. Limitation of Model
7. Conclusion
References
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