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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이중기 (한국과학기술연구원) 전법주 (한국과학기술연구원) 현진 (고려대학교) 변동진 (고려대학교)
저널정보
한국군사과학기술학회 한국군사과학기술학회지 한국군사과학기술학회지 제6권 제3호
발행연도
2003.1
수록면
44 - 53 (10page)

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Cu/C films were prepared at room temperature under $Cu(hfac)_2-Ar-H_2$ atmosphere in order to obtain metallized polymer by using ECR-MOCVD(Electron Cyclotron Resonance Metal Organic Chemical Vapor Deposition) coupled with a DC bias system. The room temperature MOCVD on polymer substrate could be possible by collaboration of ECR and a DC bias. Structural analysis of the films by ECR was found that fine copper grains embedded in an amorphous polymer matrix with indistinctive interfacial layer. The increase in $H_2$ contents brought on copper-rich film formation with low electric resistance. On the other hand carbon-rich films with low sheet electric resistance were prepared in argon atmosphere. The electric sheet resistance of Cu/C films with good interfacial property were controlled at $10^8$~$10^0$ Ohm/sq. ranges by the $H_2$/Ar mole ratio and the shielding effectiveness of the film showed maximum up to 45dB in the our experimental range.
#전자회전공명 #유기금속화학증착 #직류전압 #표면저항 #전자기파차폐성능

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