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자료유형
학술저널
저자정보
권경아 (부경대학교 공과대학 화상정보공학부) 이은주 (부경대학교 공과대학 화상정보공학부) 임권택 (부경대학교 공과대학 화상정보공학부) 정용석 (부경대학교 공과대학 화상정보공학부) 정연태 (부경대학교 공과대학 화상정보공학부)
저널정보
한국인쇄학회 한국인쇄학회지 한국인쇄학회지 제20권 제2호
발행연도
2002.1
수록면
131 - 140 (10page)

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Chemically amplified deep UV(CA-DUV) resists are typically based on a combination of an acid labile polymer and a photoacid generator(PAG) but acid amplification type photoresist is formulated by addition of the acid amplifiers to chemically amplified resist system(CAPs). We developed acid amplifiers base on cyclohexanediol such as 1-methacryloyloxy-4-tosyloxy cyclohexane(MTC) and poly(MTC$_{10}$-co-tBMA$_{90}$)(P-1) to enhance photosensitivity. P-1 is a copolymer of tert-butyl methacrylate and MTC as a positive working photoresist based on polymeric acid amplifier in order to enhance photosensitivity and simplify the process of fomulating a photoresist. P-1 exhibited 2X higher photosensitivity compared with PtBMA. The acid amplifiers showed reasonable thermal stability for resist processing temperature and higher photosensitivity compared with chemically amplified resist.

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