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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.5
- 수록면
- 658 - 662 (5page)
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넓은 에너지 띠를 가지고 있는 GaN는 짧은 파장의 광전소자를 제작하는데 쓰일 수 있으며, 격자상수가 맞는 기판이 없기 때문에 보통 다량의 결정성 결함이 박막 내부에 발생한다. 질화갈륨(GaN)의 Epitaxial lateral overgrowth(ELO)는 GaN의 bulk substrate가 없는 상황에서 이종기판과의 격자상수 차이에 인하여 생기는 다량의 결정성 결함을 줄이기 위한 방편으로서, hydride vapor phase epitaxy(HVPE)를 이용하여 성장조건을 다양하게 변화시켜 가며 ELOG 방식에 의해 성장된 GaN의 표면 형상을 연구해 보았다.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 논의
4. 결론
후기
참고문헌
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