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자료유형
학술대회자료
저자정보
홍석우 (한양대학교 재료공학과) 이용선 (한양대학교 재료공학과) 박종완 (한양대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
발행연도
2003.1
수록면
86 - 86 (1page)

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Copper has attracted much attention in the deep submicron ULSI metallization process as a replacement for aluminum due to its lower resistivity and higher electromigration resistance. Electroless copper deposition method is appealing because it yields conformal, high quality copper at relatively low cost and a low processing temperature. In this work, it was investigated that effect of the microstructure of the substrate on the electroless deposition. The mechanism of the nucleation and growth of the palladium nuclei during palladium activation was proposed. Electroless copper deposition on TiN barriers using glyoxylic acid as a reducing agent was also investigated to replace toxic formaldehyde. Furthermore, electroless copper deposition on TaN$\sub$x/ barriers was examined at various nitrogen flow rate during TaN$\sub$x/ deposition. Finally, it was investigated that the effect of plasma treatment of as-deposited TaN$\sub$x/ harriers on the electroless copper deposition.

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