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저자정보
Choi, Yong-Woo (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) Ahn, Jin-Hyung (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) Kim, Sung-Chul (Department of Materials Science and Engineering, KAIST) Ahn, Byung-Tae (Department of Materials Science and Engineering, KAIST)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
발행연도
2000.1
수록면
63 - 64 (2page)

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The low-temperature Si oxidation kinetics by inductively coupled oxygen plasma has been studied. Linear rate constants had negative values when the oxide growth rate was described by linear-parabolic growth law. The analysis of transverse-optical mode frequencies and etch rates indicated that the density of surface oxide was lower than that of bulk oxide. The oxidation kinetics could be explained qualitatively by assuming a surface layer with larger diffusion coefficient and a bulk layer with smaller diffusion coefficient.

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