InP 기판 위에 성장시킨 InAs epilayer의 구조 특성

김좌연 ,  이중환 ,  남기수

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

I1 Peak of the Undoped ZnSe/GaAs Epilayer

이춘호 ,  전경남 ,  고석룡 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

정원국

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1990 .05

Strain Relaxation Behavior of InGaAsP Epilayer Grown on InP Substrate

Hee Dae Kim ,  Sang Wan Ryu ,  Weon Guk Jeong 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

최치규 ,  강민성 ,  문종 외 3명

한국재료학회지

1998 .01

Growth and Electro-Optical Characteristics of CdSe / GaAs Epilayers Prepared by Electron Beam Epitaxy

D. I. Yang ,  Y. J. Shin ,  C. H. Lee 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Excimer Laser-Assisted In Situ Phosphorous Doped Si_(1-x)Ge_x Epilayer Activation

Jicheul Bae

[ETRI] ETRI Journal

2003 .08

The Characterization of ZnSe / GaAs Epilayers Grown by Hot wall Epitaxy

Y. J. Shin ,  C. J. Youn ,  H. K. Shin 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

CBE에 의한 GaAs / GaAs와 InP / InP의 선택적 성장 ( Selective Area Growth of GaAs / GaAs and InP / InP by Chemical Beam Epitaxy ( CBE ) )

유재수 ,  송진동 ,  이용탁

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

CBE에 의한 GaAs / GaAs와 InP / InP의 선택적 성장 ( Selective Area Growth of GaAs / GaAs and InP / InP by Chemical Beam Epitaxy ( CBE ) )

유재수 ,  송진동 ,  이용탁

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN Using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )

이정옥 ,  진경환 ,  백호선 외 4명

한국통신학회 학술대회논문집

1997 .01

청색발광소자 개발을 위한 Hydride Vapor Phase Epitaxy를 이용한 GaN의 성장특성 연구 ( Study on the Growth Characteristics of Thick GaN using Hydride Vapor Phase Epitaxy for the Development of Blue Emitting Diode )

이정욱 ,  진경환 ,  백호선 외 4명

한국통신학회 공개발표회 및 토론회

1997 .01

반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구

서한욱 ,  정다운 ,  이 빈 외 2명

한국분말야금학회지

2017 .01

저온 Mbe 방법으로 성장한 Undoped 및 Si-Doped GaAs Layer ( Undoped and Si-Doped Gaas Layer Grown at Low Temperature by Molecular Beam Epitaxy )

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

저온 MBE 방법으로 성장한 undoped 및 Si-doped GaAs layer

김태근 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06