CBE에 의한 GaAs / GaAs와 InP / InP의 선택적 성장 ( Selective Area Growth of GaAs / GaAs and InP / InP by Chemical Beam Epitaxy ( CBE ) )

유재수 ,  송진동 ,  이용탁

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1997 .01

Residual Impurity in MOCVD and CBE , GaAs and InP

S. S. Bose ,  S. L. Jackson ,  A. P.Cu 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

InP 기판 상의 GaAs 박막의 액상에피택셜 성장 및 특성분석

김동근 ,  이병택

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

Direct Wafer Bonding법에 의한 InP 기판과 $\textrm{Si}_3\textrm{N}_4$/InP의 접합특성

김선운 ,  신동석 ,  이정용 외 1명

한국재료학회지

1998 .01

선택적 LPE방법에 의한 GaAs가판 상의 InP이종접합 박막의 성장

이병택 ,  안주헌 ,  김동근 외 5명

한국재료학회지

1994 .01

P+ -In_0.53Ga_0.47As/InP의 저항성 접촉 특성

김남준 ,  이재혁 ,  김돈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

InP / InP , InCaAs / InP 의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

특정연구 결과 발표회 논문집

1988 .01

InP / InP , InCaAs / InP의 OMVPE 성장 및 도우핑 특성 ( OMVPE Growths of InP / InP , InGaAs / InP and Doping Characteristics )

박기성 ,  오대곤 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

반응 용기법을 이용한 InP/ZnS 양자점 합성과정에서 InP 코어의 성장기구

서한욱 ,  정다운 ,  이 빈 외 2명

한국분말야금학회지

2017 .01

열로 산화된 InP의 특성에 관한 연구

文東贊 ,  徐英錫 ,  金善泰 외 1명

전기학회논문지

1988 .06

THE CHARACTERISTICS OF ZINC DIFFUSED NORMALLY ON GaAs AND InP JUNCTION FETs

Tung H. Weng

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Ga_xIn_(1-x) As_(1-y) P_y / InP의 LPE 성장을 위한 Phase Diagram 계산

신동혁 ,  유태환 ,  이용탁 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1984 .11

황처리가 금속 / InP Schottky 접촉과 Si3N4 / InP 계면들에 미치는 영향 ( Effects of Sulfur Treatments on metal / Inp Schottky Contact and Si3N4 / InP interfaces )

허준 ,  임한조 ,  김충환 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .12

액상에피택시 방법에 의한 InP기판상의 GaAs 이종접합 박막 성장

김동근 ,  이형종 ,  임기영 외 4명

한국재료학회지

1994 .01

PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성

이세정 ,  홍종성 ,  이창우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01

n-InP / p-GaInAsP / n-InP 이중 이종접합 구조 트랜지스터 제작 및 특성 ( Fabrication of n-InP / p-GalnAsP / n-InP Double Heterojunction Bipolar Transistor and Its Static Characteristics )

오광룡 ,  김정수 ,  주무정 외 1명

한국통신학회 학술대회논문집

1988 .01

GaAs Technology

김철규

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

Exciton Binding Energies in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP Quantum Well Structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1997 .12

Effects of magnetic field on the excitonic photoluminescence linewidth due to interfacial quality in GaAs-Al_0.3Ga_0.7As and In_0.53Ga_0.47As-InP quantum well structures

Jong-Chul Lee

Journal of Electrical Engineering and information Science

1998 .10

InP/InGaAs HPT's 제작을 위한 ITO/n⁺ - InP Ohmic contact 특성연구

황용한 ,  한교용

대한전자공학회 학술대회

2001 .06