Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )

신정훈 ,  김재현 ,  엄윤용

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .06

Characterization of TiN/TiSi2 contact barrier layer formed by rapid thermal anneal for ULSI devices

Cheol Jin Lee

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1994 .01

Si (001) 기판에서 $N_2$처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-$TiSi_2$상의 열적 거동과 결정학적 특성에 관한 연구

양준모 ,  이완규 ,  박태수 외 6명

한국재료학회지

2001 .01

$Al_2O_3$/si 기판위에 형성한 (Bi,La)$Ti_3O_{12}$ 박막의 특성

황선환 ,  장호정 ,  장영철

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

Poly-Si/$SiO_2$/Si 기판위에 증착된 코발트실리사이드의 전기적 특성

노영규 ,  장호정

한국재료학회 학술발표대회

2002 .01

Ti-Si 계면의 얇은 산화막이 TiN/TiSi₂ 이중구조막 형성에 미치는 영향

李鐵眞 ,  成萬永 ,  成英權

전기학회논문지

1996 .02

The Properties of TiN/TiSi₂ Bilayer Formed by a Two-Step Rapid Thermal Annealing for ULSI Contact

Cheol-Jin Lee ,  Man-Young Sung ,  Yung-Kwon Sung

JOURNAL OF KIEE

1994 .03

Sr, $SrTiO_3$/(100) 기판 위에 증착된 $SrRuO_3$박막의 계면반응과 결함구조

오상호 ,  박찬경

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal

Cheol Jin Lee ,  성영권

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Nano TiNx를 함유한 Ti복합체의 제조

김성진 ,  김문협 ,  김동식 외 7명

한국분말야금학회지

2006 .01

RAPID THERMAL ANNEAL에 의한 TiN / TiSi₂구조 형성에 관한 연구(Ⅰ)

이철진 ,  천영일 ,  박종호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .06

Rapid Thermal Anneal 에 의한 TiN / TiSi2 구조 형성에 관한 연구 ( Ⅰ ) ( Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal ( Ⅰ ) )

이철진 ,  천영일 ,  박종호 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1991 .07

기판 실리콘의 BF₂ 불순물 원자에 의한 TiN/TiSi₂ bilayer의 특성

이철진 ,  박지순 ,  유환성 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1992 .07

불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )

황유상 ,  김동원 ,  문환구 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )

최진석 ,  황유상 ,  강성건 외 5명

전자공학회논문지-A

1991 .12

RTA 방법에 의하여 제작한 TiN / TiSi 2 의 특성 분석 ( The Characteristics of TiN / TiSi2 Bilayer on Si by RTA in N2 Ambient )

여인석 ,  김우식 ,  김오현 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

TiSi2 박막의 Agglomration 거동에 미치는 Si기판 의존성

김일권 ,  고종우 ,  이내인 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

PVD 방법에 의한 $TiN/TiSi_2$-bilayer 형성

최치규 ,  강민성 ,  김덕수 외 5명

한국재료학회지

1998 .01

Characteristics of TiN/TiSi₂ Contact Barrier Layer by Rapid Thermal Anneal in N₂ Ambient

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .06