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자료유형
학술대회자료
저자정보
이준호 (국민대학교) 이치영 (국민대학교) 이재갑 (국민대학교)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2010년도 춘계학술발표대회
발행연도
2010.1
수록면
492 - 492 (1page)

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Copper oxide films have been deposited on silicon substrates by direct current magnetron sputtering of Cu in O2 / Ar gas mixtures. The target oxidation occurring as a result of either adsorption or ion-plating of reactive gases to the target has a direct effect on the discharge current and the resulting composition of the deposited films. The kinetic model which relates the target oxidation to the discharge current was proposed, showing the one-to-one relationship between discharge current characteristics and film stoichiometry of the deposited films.
#Cu oxide #Sputtering

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