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자료유형
학술대회자료
저자정보
Deng, Er Lang (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University) Shiau, Miin Shyue (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University) Huang, Nan Xiong (Graduate Institute of Electrical and Communication Engineering, Feng Chia University) Liu, Don Gey (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
1,305 - 1,308 (4page)

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In this study, we redesigned the reliable integrated on-panel display gate driver that was equipped with dual pull-down as well as controlled discharge-path structure to reduce the high voltage stress effect and realized with TSMC 0.35 um CMOS-based technology before. An improved discharge path and a low noise design are proposed for our new a-Si TFT process implementation. Our novel reliable gate driver design can make each cell of shift register to be insensitive to the coupling noise of that stage.
#Gate driver #Stress effect #Anti-fluctuating #Reliability

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