Effect of $HfO_X$ treatment on ITO surface of organic light emitting diodes using Impedance spectroscopy analysis

Cho, Jae-Hyun; Park, Hyung-Jun; Han, Kyu-Min; Sohn, Sun-Young; Jung, Dong-Geun; Yi, Jun-Sin

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저자정보: Cho, Jae-Hyun (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University) Park, Hyung-Jun (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University) Han, Kyu-Min (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University) Sohn, Sun-Young (Department of Physics, Institute of Basic Science, and Brain Korea 21 Physics Research Division, Sungkyunkwan University) Jung, Dong-Geun (Department of Physics, Institute of Basic Science, and Brain Korea 21 Physics Research Division, Sungkyunkwan University) Yi, Jun-Sin (School of information and communication engineering, Sungkyunkwan University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2008.1

수록면: 506 - 508 (3page)

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In this work, we used impedance spectroscopy analysis to determine the effect of the $HfO_X$ treatment on the surface of ITO and to model the equivalent circuit for OLEDs. Devices with an ITO/Organic material/Al structure can be modeled as resistances and capacitances arranged in parallel or in series. The number of elements depends on the composition of the structure, essentially the number of layers, and the contacts.

#Organic light emitting diodes #$HfO_X$ #Impedance spectroscopy analysis #Equivalent circuit #Barrier height

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