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Hu, Guo-Ren (Display technology center/Industrial technology research institute) Kung, Bo-Cheng (Display technology center/Industrial technology research institute) He, King-Yuan (Display technology center/Industrial technology research institute) Cheng, Chi-Hong (Display technology center/Industrial technology research institute) Huang, Yeh-Shih (Display technology center/Industrial technology research institute) Liu, Chan-Jui (Display technology center/Industrial technology research institute) Tsai, Cheng-Ju (Display technology center/Industrial technology research institute) Huang, Jung-Jie (Display technology center/Industrial technology research institute)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2008.1
수록면
641 - 644 (4page)

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Traditional LTPS TFT needs additional LDD process to decrease leakage current. However the fabrication process is no suitable for PI substrate. Additional laser multi-irradiation will damage the poly-Si to cause the TFT electrical degrade. Therefore we propose the simplified process to activate the $N^+$ and $N^-$ at the same time.
#poly-Si #PI #LTPS #LDD #Laser

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