Low Temperature Annealed Sol-Gel Aluminum Indium Oxide Thin Film Transistors

Hwang, Young-Hwan; Jeon, Jun-Hyuck; Seo, Seok-Jun; Bae, Byeong-Soo

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저자정보: Hwang, Young-Hwan (Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST) Jeon, Jun-Hyuck (Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST) Seo, Seok-Jun (Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST) Bae, Byeong-Soo (Dept. of Materials Science and Engineering, KAIST)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display

발행연도: 2009.1

수록면: 396 - 399 (4page)

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Thin-film transistors (TFTs) with an aluminum indium oxide (AIO) channel layer were fabricated via a simple and low-cost sol-gel process. Effects of annealing temperature and time were investigated for better TFT performance. The sol-gel AIO TFTs were annealed as low as $350^{\circ}C$. They exhibit n-type semiconductor behavior, a mobility higher than 19 $cm^2/V{\cdot}s$ and an onto-off current ratio greater than $10^8$.

#oxide TFT #sol-gel #aluminum indium oxide #low temperature annealing

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Hwang, Young-Hwan

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Jeon, Jun-Hyuck

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Bae, Byeong-Soo

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