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본 연구에서는 TiInZn(TiIZO)를 채널층으로 하는 thin film transistors(TFTs)를 제작하였다. TiIZO층은 InZnO(IZO)와 Ti target을 이용하여 RF-magnetron co-sputtering system방식으로 상온에서 증착하였으며, 어떠한 열처리도 하지 않았다. Ti의 첨가가 어떠한 영향을 주는지 연구하기 위해 X-ray diffraction(XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) 분석을 시행하였으며, 전기적인 특성을 측정하였다. Ti의 첨가는 Ti target의 rf power 변화에 따라 달리하였다. Ti의 첨가가 전류점멸비에 큰 영향을 주는 것을 확인하였고, 이것은 Ti의 산화력이 In과 Zn보다 뛰어난 산소결함자리의 형성을 억제하기 때문이다. Ti의 rf power가 40W일 때 가장 좋은 특성을 나타냈으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 10?, 2.09[㎠/V·s]. 2.2[V], 0.492[V/dec.] 로 측정되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (20)
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1. [학술지(정기간행물)] - B. D. Ahn / 2007 / Thermally stable, highly conductive, and transparent Ga-doped ZnO thin films / Thin Solid Films 516 (7) : 138 ~ 1385
2. [학술지(정기간행물)] - R. L. Hoffman / 2003 / ZnO-based transparent thin-film transistors / Appl. Phys. Lett 82 (5) : 733 ~ 735
3. [학술지(정기간행물)] - J. S. Park / 2009 / Novel ZrInZnO Thin-film Transistor with Excellent Stability / Adv. Mater 21 (3) : 329 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. H. Son / 2010 / Low Voltage, High Performance Thin Film Transistor with HfInZnO Channel and HfO2 Gate Dielectric / Solid-State Letters 13 : 274 ~
5. [학술지(정기간행물)] - H. S. Kim / 2010 / The influence of sputtering power and O2/Ar flow ratio on the performance and stability of Hf–In–Zn–O thin film transistors under illumination / Appl. Phys. Lett 97 : 102103 ~
2. [학술지(정기간행물)] - R. L. Hoffman / 2003 / ZnO-based transparent thin-film transistors / Appl. Phys. Lett 82 (5) : 733 ~ 735
3. [학술지(정기간행물)] - J. S. Park / 2009 / Novel ZrInZnO Thin-film Transistor with Excellent Stability / Adv. Mater 21 (3) : 329 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. H. Son / 2010 / Low Voltage, High Performance Thin Film Transistor with HfInZnO Channel and HfO2 Gate Dielectric / Solid-State Letters 13 : 274 ~
5. [학술지(정기간행물)] - H. S. Kim / 2010 / The influence of sputtering power and O2/Ar flow ratio on the performance and stability of Hf–In–Zn–O thin film transistors under illumination / Appl. Phys. Lett 97 : 102103 ~
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