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저자정보
Lee, Seok-Woo (LG. Philips LCD R&D Center) Kang, Ho-Chul (LG. Philips LCD R&D Center) Nam, Dae-Hyun (LG. Philips LCD R&D Center) Yang, Joon-Young (LG. Philips LCD R&D Center) Kim, Eu-Gene (LG. Philips LCD R&D Center) Kim, Sang-Hyun (LG. Philips LCD R&D Center) Lim, Kyoung-Moon (LG. Philips LCD R&D Center) Kim, Chang-Dong (LG. Philips LCD R&D Center) Chung, In-Jae (LG. Philips LCD R&D Center)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
발행연도
2004.1
수록면
1,258 - 1,261 (4page)

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Degradation phenomenon in the low-temperature polysilicon (LTPS) thin-film transistors (TFTs) with different junction structures was investigated. A gate-overlapped lightly doped drain (GOLDD) structure showed better hot-carrier stress (HCS) stability than a conventional LDD one. On the other hand, high drain current stress (HDCS) at $V_{gs}$ = $V_{ds}$ conditions caused much severe device degradation in the GOLDD structure because of its higher current level resulting in the higher applied power. It is suggested that self-heating-induced mobility degradation in the GOLDD TFFs be suppressed for using this structure in short-channel devices.

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