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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Kang, Dong-Kyun (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) Park, Won-Tae (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) Kim, Byong-Ho (Department of Materials Science and Engineering, Korea University)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
발행연도
2006.1
수록면
190 - 193 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

Growth and characterization of Eu-doped bismuth titanate (BET) thin films deposited by sol-gel method
Kang ,  Dong-Kyun ,  Kim 외 1명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료
The ferroelectric and fatigue properties in Gd-modified bismuth titanate (BGT) thin films deposited by liquid delivery MOCVD
Kang ,  Dong-Kyun ,  Pa 외 4명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료

초록· 키워드

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Gadolinium-substituted bismuth titanate, $Bi_{3.3}Gd_{0.7}Ti_{3}O_{12}$, thin films were successfully fabricated on Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates by a MOCVD process. Fabricated BGT thin films were found to be random oriental ions, which were confirmed by X-ray diffraction and scanning electron microscope analysis. The remanent polarization value ($2P_r$) of the BGT thin film annealed at $720^{\circ}C$ was $45.13{\mu}C/cm^2$, at an applied voltage of 5 V. The BGT thin film exhibits a good fatigue resistance up to $1{\times}10^{11}$ switching cycles at a frequency of 1 MHz with applied voltage of 5 V. These results indicate that the randomly oriented BGT thin film is a promising candidate among ferroelectric materials useful in lead-free nonvolatile ferroelectric random access memory applications.

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