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저자정보
남기중 (고등기술연구원) 문성욱 (고등기술연구원) 홍윤석 (고등기술연구원) 배한성 (고등기술연구원) 곽노흥 ([주]젯텍)
저널정보
한국레이저가공학회 한국레이저가공학회 학술대회 논문집 한국레이저가공학회 2006년도 추계학술발표대회 논문집
발행연도
2006.1
수록면
128 - 132 (5page)

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Low-k wafer engraving process has been investigated by using UV pico-second laser with high repetition rate. Wavelength and repetition rate of laser used in this study are 355nm and 80MHz, respectively. Main parameters of low-k wafer engraving processes are laser power, work speed, assist gas flow rate, and protective coating to eliminate debris. Results show that engraving qualities of low-k layer by using UV pico-second pulse width and high repetition rate had better kerf edge and higher work speed, compared to one by conventional laser with nano-second pulse width and low repetition rate in the range of kHz. Assist gas and protective coating to eliminate debris gave effects on the quality of engraving edge. Total engraving width and depth are obtained less than $20{\mu}m$ and $10{\mu}m$ at more than 500mm/sec work speed, respectively. We believe that engraving method by using UV pico-second laser with high repetition rate is useful one to give high work speed of laser material process.
#UV pico-second laser #Low-k wafer #Wafer cutting #Laser engraving #free debris #Kerf edge

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