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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
문성욱 (고등기술연구원) 배한성 (고등기술연구원) 홍윤석 (고등기술연구원) 남기중 (고등기술연구원) 곽노흥 ([주]젯텍)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제6권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
11 - 15 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

자외선 피코초 레이저를 이용한 Low-k 웨이퍼 인그레이빙 특성에 관한 연구
문성욱 ,  배한성 ,  홍윤석 외 2명 반도체및디스플레이장비학회지 2007.01 학술저널

2006

UV pico-second 레이저를 이용한 low-k 웨이퍼 인그레이빙 특성 연구
문성욱 ,  배한성 ,  홍윤석 외 2명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2006.10 학술대회자료

초록· 키워드

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Low-k wafer engraving process has been investigated by using UV pico-second laser with high repetition rate. Wavelength and repetition rate of laser used in this study are 355 nm and 80 MHz, respectively. Main parameters of low-k wafer engraving processes are laser power, work speed, assist gas flow, and protective coating to eliminate debris. Results show that engraving qualities of low-k layer by using a laser with UV pico-second pulse width and high repetition rate had better kerf edge and higher work speed, compared to one by conventional laser with nano-second pulse width and low repletion rate in the range of kHz. Assist gas and protective coating to eliminate debris gave effects on the quality of engraving edge. Total engraving width and depth are obtained less than $20\;{\mu}m$ and $10\;{\mu}m$ at more than 500 mm/sec work speed, respectively. We believe that engraving method by using UV pico-second laser with high repetition rate is useful one to give high work speed in laser material process.
#UV pico-second laser #low-k wafer #laser engraving #free debris #kerf edge

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