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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제20권 제5호
발행연도
2019.1
수록면
467 - 472 (6page)

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In this paper, we have investigated non-leaky and leaky FE–DE heterostructure with undoped HfO 2 and Zr doped HfO 2 as a ferroelectric material. Use of undoped HfO 2 in place of Zr doped HfO 2 as a ferroelectric material will ease the deposition process and simplify the processing steps, as ferroelectricity in undoped HfO 2 can be obtained without introduction of dopant elements. This replacement of ferroelectric oxide enhances the performance of heterostructure in terms of absolute voltage amplifi cation ( VD > VS ). Undoped HfO 2 provides higher magnitude voltage amplifi cation as compared to Zr doped HfO2 although the range to voltage amplifi cation is reduced.

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