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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
Toshiyuki Inoue (The University of Shiga Prefecture) Akira Tsuchiya (The University of Shiga Prefecture) Keiji Kishine (The University of Shiga Prefecture)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.20 No.2
발행연도
2020.4
수록면
177 - 186 (10page)
DOI
10.5573/JSTS.2020.20.2.177

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We demonstrated low-power and compact active-shunt-feedback type inductorless low-noise amplifiers (LNAs) in 65-nm CMOS. We pointed out the importance of considering an intermediate-node voltage in the LNA, and proposed a design method focusing on the intermediate voltage. The influence of the intermediate voltage upon the gain and noise figure was examined by a circuit simulator, and it was clarified that the intermediate voltage of V<SUB>DD</SUB>/2 was appropriate for high gain and low noise figure. Based on the proposed method, the active-shunt-feedback type LNA was fabricated in a 65-nm CMOS chip. The figure-of-merit considering the power, gain, bandwidth, noise factor, and linearity improved by 6 in comparison with that of the conventional 0.13-mm CMOS type.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. CIRCUIT DESCRIPTION
III. DESIGN AND ANALYSIS OF THE PROPOSED LNA
IV. MEASUREMENT RESULTS
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (15)

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