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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오재원 (강원대학교) 변혜령 (강원대학교) 류미이 (강원대학교) 송진동 (한국과학기술연구원)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제22권 제2호
발행연도
2013.3
수록면
92 - 97 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2013

MEE법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 발광특성
오재원 ,  변혜령 ,  류미이 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2013.03 학술저널

2012

Indium Pre-deposition 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성
오재원 ,  권세라 ,  류미이 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2012.02 학술대회자료

2011

다층 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
오재원 ,  권세라 ,  류미이 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2011.11 학술저널

초록· 키워드

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Migration-enhanced epitaxy 성장한 InAs/GaAs 양자점(quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 Time-resolved PL 이용하여 분석하였다. InAs 양자점은 In을 9.3초 공급하고 5초 차단한 후 As을 3초, 4초, 6초, 또는 9초 공급하고 5초 차단하는 과정을 3회 반복하여 성장하였다. As을 3초 공급한 시료의 PL 피크는 1,140 nm에서 나타나고, PL 세기는 다른 세 시료에 비해 매우 약하게 나타났다. As 공급시간을 3초에서 증가하였을 때 모든 PL 피크는 1,118 nm로 청색이동하여 나타났으며, PL 세기는 증가하였다. As을 6초 공급한 시료의 PL 세기가 가장 강하게 나타나고, 반치폭(full width at half maximum)도 가장 좁게 나타났다. 이러한 결과는 양자점의 밀도와 균일도(크기변화)로 설명된다. 또한 발광파장에 따른 PL 소멸시간은 PL 피크 근처에서 가장 길게 나타났다.
#InAs #양자점 #포토루미네션스 #시간분해 포토루미네션스 #InAs #Quantum dots #Photoluminescence #Time-resolved photoluminescence

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Y. Qiu / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 1704 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - P. Bhattacharya / 2009 / / J. Crystal Growth 311 : 1625 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - G. Park / 2000 / / IEEE Photon. Technol. Lett 13 : 230 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 김정섭 / 2010 / 유기금속화학기상증착법을 이용한 적층 InAs 양자점 적외선 수광소자 성장 및 특성 평가 연구 / 한국진공학회지 19 (3) : 217 ~ 223 dbpia 5. [학술지(정기간행물)] - 이희종 / 2009 / Indium Interruption Growth법으로 성장한 InAs 양자점의 광학적 특성 / 한국진공학회지 18 (6) : 474 ~ 480 dbpia

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001274363