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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.5
- 수록면
- 217 - 223 (7page)
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유기금속화학기상증착법으로 적층 InAs/In<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>As DWELL (dot-in-a-well) 구조를 성장하여 n-i-n 구조의 적외선 수광소자를 제작하였으며, PL (photoluminescence) 발광 특성 및 암전류 특성을 분석하였다. 동일한 조건으로 양자점을 적층 하였을 때 크기 및 밀도의 변화에 의한 이중 PL peak을 관찰하였으며, TMIn의 유량을 조절함으로써 단일 peak을 갖는 균일한 크기의 양자점 적층 구조를 성장할 수 있었다. 적외선 수광소자 구조를 성장함에 있어서, 상부의 n-형 GaAs의 성장 온도가 600도 이상인 경우 PL 발광 세기가 급격히 감소하였고 이에 따른 암전류의 증가를 관찰하였다. 0.5 V 인가 전압에서 암전류의 온도 의존성에 대한 활성화 에너지의 크기는 성장온도가 580도인 경우 106 meV이고, 650도의 경우는 48 meV로 급격이 낮아졌다. 이는 고온의 성장 온도에 의한 InAs 양자점과 In<SUB>0.1</SUB>Ga<SUB>0.9</SUB>As 양자우물구조 계면에서의 열적 상호 확산에 의하여 비발광 천이가 증가되었기 때문이다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - A. Rogalski / 2003 / / Progress in Quantum Electronics 27 : 59 ~
2. [학술지(정기간행물)] - 남형도 / 2006 / 수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성 / 한국진공학회지 15 (2) : 216 ~ 222
3. [학술지(정기간행물)] - S. D. Gunapala / 2007 / / IEEE J. Quantum Electron 43 : 230 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. Z. Y. Ting / 2009 / / Appl. Phys. Lett. 94 : 111107 ~
5. [학술지(정기간행물)] - 김준오 / 2009 / InAs/GaSb 응력초격자를 이용한 적외선검출소자의 제작 및 특성 연구 / 한국진공학회지 18 (2) : 108 ~ 115
2. [학술지(정기간행물)] - 남형도 / 2006 / 수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성 / 한국진공학회지 15 (2) : 216 ~ 222
3. [학술지(정기간행물)] - S. D. Gunapala / 2007 / / IEEE J. Quantum Electron 43 : 230 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. Z. Y. Ting / 2009 / / Appl. Phys. Lett. 94 : 111107 ~
5. [학술지(정기간행물)] - 김준오 / 2009 / InAs/GaSb 응력초격자를 이용한 적외선검출소자의 제작 및 특성 연구 / 한국진공학회지 18 (2) : 108 ~ 115
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