메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
오재원 (강원대학교) 권세라 (강원대학교) 류미이 (강원대학교) 조병구 (전북대학교) 김진수 (전북대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제20권 제6호
발행연도
2011.11
수록면
442 - 448 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2013

MEE법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 발광특성
오재원 ,  변혜령 ,  류미이 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2013.03 학술저널

2012

Indium Pre-deposition 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성
오재원 ,  권세라 ,  류미이 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2012.02 학술대회자료

2011

다층 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
오재원 ,  권세라 ,  류미이 외 2명 Applied Science and Convergence Technology 2011.11 학술저널

초록· 키워드

오류제보하기
자발형성법으로 InP (001) 기판에 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(QDs, quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs 양자점 시료는 single layer InAs/InAlGaAs QDs (QD1)과 7-stacked InAs/InAlGaAs QDs (QD2)를 사용하였다. 저온(10 K)에서 QD1과 QD2 모두 1,320 nm에서 PL 피크가 나타났으며, 온도를 300 K까지 증가하였을 때 각각 178 nm와 264 nm의 적색편이(red-shift)를 보였다. QD1의 PL 소멸시간은 PL피크인 1,320 nm에서 1.49 ns이고, PL 피크를 중심으로 장파장과 단파장으로 이동하면서 점차 짧아졌다. 그러나 QD2의 PL소멸시간은 발광파장이 1,130 nm에서 1,600 nm까지 증가할 때 1.83 ns에서 1.22 ns로 점진적으로 짧아졌다. 이러한 QD2의 PL과 TRPL 결과는 평균 양자점의 크기가 InAs/InAlGaAs 층이 증가함에 따라 점차 증가하기 때문으로 single layer인 QD1에 비해 양자점 크기의 변화가 더 크기 때문으로 설명된다.
#InAs #양자점 #포토루미네션스 #시간분해 포토루미네션스 #InAs #Quantum dots #Photoluminescence #Time-resolved photoluminescence

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (14)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Y. Qiu / 2003 / / Appl. Phys. Lett 83 : 1704 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - P. Bhattacharya / 2009 / / J. Crystal Growth 311 : 1625 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - G. Park / 2000 / / IEEE Photon. Technol. Lett 12 : 230 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 김정섭 / 2010 / 유기금속화학기상증착법을 이용한 적층 InAs 양자점 적외선 수광소자 성장 및 특성 평가 연구 / 한국진공학회지 19 (3) : 217 ~ 223 dbpia 5. [학술지(정기간행물)] - 이희종 / 2009 / Indium Interruption Growth법으로 성장한 InAs 양자점의 광학적 특성 / 한국진공학회지 18 (6) : 474 ~ 480 dbpia

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

Luminescence Properties of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown by Modified Molecular Beam Epitaxy
Se Ra Kwon ,  Mee-Yi Ryu ,  Jin Dong Song Applied Science and Convergence Technology 2014 .11
As 차단 시간 변화에 의한 InAs 양자점의 광학적 특성
최윤호 ,  류미이 ,  조병구 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2013 .03
InAs/GaAs 양자점의 발광특성에 대한 InGaAs 캡층의 영향
권세라 ,  류미이 ,  송진동 Applied Science and Convergence Technology 2012 .11

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001273699