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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.11
- 수록면
- 475 - 482 (8page)
이용수
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NiO 산화물 타겟을 이용한 RF 마그네트론 스퍼터 방법으로 유리 기판 위에 NiO 박막을 Ar 가스만을 사용하여 증착하였으며, 증착 온도에 따라 NiO 박막 특성에 미치는 영향을 조사하였다. XRD 측정으로부터 증착된 박막의 결정구조는 200℃ 이하에서 (111) 면의 우선 배향성으로 보이다가 350℃ 이상에서 (220) 면의 우선 배향성을 가지는 다결정 입방구조임을 확인하였다. NiO 박막의 전기적 특성의 변화는 기판의 온도가 200℃까지는 10? Ω㎝의 부도체에 가까운 높은 비저항을 보였고 기판의 온도가 300℃ 이상에서는 10?¹∼10?²Ωcm의 도체의 특성을 보이는 낮은 비저항으로 감소하는 Mott-Insulator Transition (MIT) 현상을 관측하였다. NiO 박막 내의 증착 온도 변화에 따른 ∼10? 정도의 큰 비저항 변화를 결정성, 결정립의 변화 및 밴드 갭의 변화 등으로 설명하였다.
목차
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Result
Ⅳ. Conclusion
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - E. Fujii / 1996 / / Jpn. J. Appl. Phys. 35 : L328 ~
2. [학술지(정기간행물)] - K. D. Lee / 2000 / 전기적 착색 니켈산화물 박막의 특성과 안정성 / 한국진공학회지 9 (1) : 48 ~ 59
3. [학술지(정기간행물)] - S. Seo / 2004 / / Appl. Phys. Lett. 85 : 5655 ~
4. [학술지(정기간행물)] - 손대호 / 2009 / 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성 / 한국진공학회지 18 (4) : 302 ~ 309
5. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Park / 1999 / YSZ (yttria - stabilized zirconia) 박막을 이용한 센서 셀의 산소 감응 / 한국진공학회지 8 (4) : 507 ~ 513
2. [학술지(정기간행물)] - K. D. Lee / 2000 / 전기적 착색 니켈산화물 박막의 특성과 안정성 / 한국진공학회지 9 (1) : 48 ~ 59
3. [학술지(정기간행물)] - S. Seo / 2004 / / Appl. Phys. Lett. 85 : 5655 ~
4. [학술지(정기간행물)] - 손대호 / 2009 / 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성 / 한국진공학회지 18 (4) : 302 ~ 309
5. [학술지(정기간행물)] - J. Y. Park / 1999 / YSZ (yttria - stabilized zirconia) 박막을 이용한 센서 셀의 산소 감응 / 한국진공학회지 8 (4) : 507 ~ 513
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