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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제2호
발행연도
2006.3
수록면
216 - 222 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2006

수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성
남형도 ,  송진동 ,  최원준 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 2006.03 학술저널
광학적 방법으로 측정된 양자우물 안의 InAs 양자점의 에너지 준위
남형도 ,  곽호상 ,  L. Doynnette 외 8명 Applied Science and Convergence Technology 2006.03 학술저널
비대칭 InGaAs/GaAs 우물 내에 삽입된 InAs 양자점을 갖는 양자점 원적외선 수광소자의 밴드구조 분석
남형도 ,  송진동 ,  최원준 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료
수소화 처리된 InAs/GaAs 양자점 적외선 수광소자의 전기적 특성 향상
남형도 ,  송진동 ,  최원준 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

초록· 키워드

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InGaAs/GaAs 양자 우물 내에 삽입된 InAs 양자점으로 구성된 5층의 흡수층과 Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>As/GaAs SL (superlattice) 암전류 장벽층을 갖는 QDIP (quantum dot infrared photodetector) 구조에 대한 수소 RF 플라즈마에 의한 수소화 처리가 QDIP의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. RF 플라즈마 수소화 처리는 양자점의 밴드구조에 영향을 미치지 않았으며 Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>As/GaAs SL 암전류 장벽층 내의 결함 제거 및 QDIP 구조 내 결함 생성을 동시에 유도함으로써 QDIP의 전기적 특성 향상은 수소 플라즈마 처리시간의 함수임을 알았다. 20 W의 수소 RF 플라즈마를 사용했을 때, 10분간의 플라즈마 조사가 가장 좋은 전기적 특성을 제공하여 높은 암전류 때문에 원시료에서는 측정할 수 없었던 광전류 신호를 측정할 수 있었다.
#양자점 #양자점 적외선 수광소자 #수소화처리 #Quantum dot #Quantum dot infrared photodetector #Hydrogen plama treatment

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (2)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 1999 / Quantum Dot Heterostructures and references therein. google schola [학술지(정기간행물)] - / 2001 / in Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials and Devices google schola

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