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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제2호
발행연도
2006.3
수록면
223 - 230 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

MBE로 성장된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 수소화 처리가 광학적 특성에 미치는 특이영향
임주영 ,  송진동 ,  최원준 외 3명 Applied Science and Convergence Technology 2006.03 학술저널
수소화 처리된 In0.5Ga0.5As/GaAs 양자점 원적외선 수광소자의 광학적 특성분석
임주영 ,  송진동 ,  최원준 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

초록· 키워드

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분자선 에피택시 (MBE)법으로 성장된 양자점 원적외선 수광소자(Quantum Dot Infrared Photodetector: QDIP)구조의 In<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>As/GaAs 자발형성 양자점에 대하여, 수소화 처리(Hydrogen Plasma treatment) 전후의 각각의 특성을 광학적인 방법으로 분석하였다. 광학적 특성은 광루미네센스(photoluminescence: PL) 그리고 광전류(Photocurrent: PC)방법으로 각각 15K 300K, 10K 130K 범위에서 측정되었으며, 수소화 처리 전후의 In<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>As 자발형성 양자점의 광학적 특성을 비교 분석해보면, 원시료(as-grown)의 하나의 봉우리가 수소화 처리를 통하여 두개의 봉우리로 나뉘지만 PL의 전체 세기(intensity)에는 큰 변화가 없었으며, 광전류는 수소화 처리 후에 감소함을 알 수 있다. 수소화 처리 전후의 샘플에 대해 PL의 결과로부터 활성화 에너지를 계산하여 비교해보면, 수소화 처리 전후의 활성화 에너지가 다름을 알 수 있고, 이 변화된 활성화 에너지 값은 측정된 광전류의 봉우리에 해당하는 에너지 값과 거의 일치함을 알 수 있다. 수소화 처리된 샘플은 역 수소화처리를 통하여 PL 그래프의 모양이 원시료의 모양으로 되돌아가야 함에도 불구하고, 수소화 처리된 시료의 PL의 그래프와 동일한 모습을 보였다. 이러한 현상은 자발형성 양자점의 수소화 처리에 따른 양자점 내부의 양자점 조성의 변동에 그 원인이 있는 것으로 보인다.
#양자점 #양자점 적외선 수광소자 #수소화 처리 #광루미네센스 #Quantum dot #Quantum dot infrared photodetector #Hydrogen plasma treatment #Photoluminescence

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (1)

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[학술지(정기간행물)] - / 1991 / Quantum Semiconductor Structures google schola

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