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논문 기본 정보

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저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제6호
발행연도
2008.11
수록면
528 - 537 (10page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2008

60 ㎚ 와 20 ㎚ 두께의 수소화된 비정질 실리콘에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률 ,  박종성 ,  최용윤 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2008.11 학술저널
나노급 수소화된 비정질 실리콘 두께에 따른 저온 니켈실리사이드 물성 변화
김종률 ,  최용윤 ,  송오성 한국진공학회 학술발표회초록집 2008.08 학술대회자료
ICP-CVD 비정질 실리콘에 형성된 처리온도에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률 ,  최용윤 ,  박종성 외 1명 한국산학기술학회 논문지 2008.04 학술저널

초록· 키워드

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ICP-CVD를 사용하여 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 60 ㎚ 또는 20 ㎚ 두께로 성막 시키고, 그 위에 전자총증착장치(e-beam evaporator)를 이용하여 30 ㎚ Ni 증착 후, 최종적으로 30 ㎚ Ni/(60 또는 20 ㎚ a-Si:H)/200 ㎚ SiO₂/single-Si 구조의 시편을 만들고 200~500℃ 사이에서 50℃간격으로 40초간 진공열처리를 실시하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 니켈실리사이드의 처리온도에 따른 면저항값, 상구조, 미세구조, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD, FE-SEM과 TEM, SPM을 활용하여 확인하였다. 60 ㎚ a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 400℃이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. 반면 20 ㎚ a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 300℃이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. HRXRD 결과 60 ㎚ 와 20 ㎚α-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 열처리온도에 따라서 동일한 상변화를 보였다. FE-SEM과 TEM 관찰결과, 60 ㎚α-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 저온에서 고저항의 미반응 실리콘이 잔류하고 60 ㎚ 두께의 니켈실리사이드를 가지는 미세구조를 보였다. 20 ㎚ a-Si:H 기판위에 형성되는 니켈실리사이드는 20 ㎚ 두께의 균일한 결정질 실리사이드가 생성됨을 확인하였다. SPM 결과 모든 시편은 열처리온도가 증가하면서 RMS값이 증가하였고 특히 20 ㎚ a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 300℃에서 0.75 ㎚의 가장 낮은 RMS 값을 보였다.
#나노급 니켈 실리사이드 #수소화된 비정질 실리콘 #플렉트로닉스 #쾌속열처리 #Nano-thick nickel silicide #ICP-CVD #Hydrogenated amorphous silicon #Flextronics #RTA

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - D. Striakhilev / 2006 / / Journal of display technology 2 : 364 ~ 370 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - C. W. Mclaughlin / 2001 / Microdisplay Market Opportunities, in Microdisplay Int. Conference Digest of Tech / Papers : 21 ~ 23 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - J. Jang / 2006 / Materials Today 9 (4) : 46 ~ 52 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 채희엽 / 2007 / 유기태양전지의 개발현황 / 한국진공학회지 16 (3) : 167 ~ 171 dbpia 5. [학술지(정기간행물)] - 이준신 / 2007 / 실리콘 태양전지 / 한국진공학회지 16 (3) : 161 ~ 166 dbpia

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