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자료유형
학술저널
저자정보
Kim, Jong-Chae (Department of Materials Engineering, Korea University of Technology and Education, Chungnam) Kim, Yeong-Cheol (Department of Materials Engineering, Korea University of Technology and Education, Chungnam) Kim, Byung-Kook (Division of Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제12권 제3호
발행연도
2001.1
수록면
162 - 165 (4page)

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The EDL (Embedded DRAM and Logic) technologies with stack cell capacitors based on NO dielectric and Co-silicided source/drain junctions using a Ti capping material, were successfully implemented. The employed Co-silicided film exhibited junction leakage characteristics comparable to those of non-silicided junctions. Improved device characteristics without degradation of I<SUB>off</SUB> was also achieved.

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