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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제5호
발행연도
2007.9
수록면
366 - 370 (5page)

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밀도가 높고 주기적으로 배열된 나노 크기의 기공이 25㎚ 두께의 실리콘 산화막 기판위에 형성 되었다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다. 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 폴리스티렌으로 이루어진 나노패턴의 지름은 8~30㎚ 였고 높이는 40㎚였으며, 패턴과 패턴사이의 간격은 60㎚였다. 형성된 패턴을 실리콘 산화막 위에 전사시키기 위해 불소 기반의 화학 반응성 식각을 사용하였다. 실리콘 산화막에 형성된 기공의 지름은 9~33㎚였다. 실리콘 산화막을 불산으로 제거하여 실리콘에 형성된 기공을 관찰 하였고, 실리콘기판에 형성된 기공의 지름은 6~22㎚였다. 형성된 기공의 크기는 폴리메틸메타아크릴레이트의 분자량과 관계가 있음을 알 수 있었다.
#블록 공중합체 #나노패턴 #화학 반응성 식각 #diblock copolymer #copolymer lithography #reactive ion etching #nanotemplate

목차

Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
Reference

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