InAs / GaAs 양자점의 단전자 - 정공 재결합 연구

이주인; 임재영; 서정철

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이주인 임재영 서정철

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제2호

발행연도: 2001.7

수록면: 257 - 261 (5page)

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InGaAs/GaAs 초격자 구조들 사이에 InAs/GaAs 양자점을 MBE로 성장하고 광특성을 측정한 결과 매우 균일한 양자점을 얻을 수 있었다. Self-consistent한 이론 계산으로부터 얻은 p-i-n 구조의 최적 조건으로 단일광자구조를 성장하고 단일광자소자를 e-beam lithography를 이용하여 제작하였다. 전기적 특성인 I-V 곡선에서 나타난 전기 이력현상으로부터 단일 전자와 단일 정공이 다른 전압에서 투과하여 단일 전자-정공 재결합 현상이 나타나고 있음을 확인하였다.

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주요연구분야 자연과학 > 물리학

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임재영

소속기관 한국진공학회(ASCT)

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 15 이용수 175

서정철

소속기관 한국진공학회(ASCT)

주요연구분야 자연과학 > 물리학

논문수 2 이용수 13

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