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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제5호
발행연도
2006.9
수록면
493 - 498 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성
유영채 ,  이정일 ,  김경찬 외 3명 Applied Science and Convergence Technology 2006.09 학술저널
1.5 ㎛ InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 superluminescent diode(QD-SLD) 광특성 연구
유영채 ,  한일기 ,  이정일 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 2006.02 학술대회자료

초록· 키워드

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MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 1.5 ㎛의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자(Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 ㎽ 였고, 3?㏈ 파장대역폭은 55 ㎚ 이었다.
#고휘도 발광소자 #InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 #레이저 다이오드 #광 루미네센스 #InGaAs/InGaAsP/InP QD #Photoluminescence #Electroluminescence #Superluminescent Diode

목차

한국어 초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고 문헌
영어 초록

참고문헌 (0)

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