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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제5호
발행연도
2007.9
수록면
371 - 376 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2007

InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 양자우물 레이저 다이오드의 특성 비교
정경욱 ,  김광웅 ,  유성필 외 6명 Applied Science and Convergence Technology 2007.09 학술저널
980 ㎚ 파장대역을 갖는 InGaAs 양자점 레이저 다이오드의 발진특성
정경욱 ,  김광웅 ,  유성필 외 6명 한국진공학회 학술발표회초록집 2007.08 학술대회자료
980 ㎚ InGaAs 양자점 레이저 다이오드와 단일 양자 우물 레이저 다이오드의 특성 비교
정경욱 ,  김광웅 ,  조남기 외 5명 한국진공학회 학술발표회초록집 2007.02 학술대회자료

초록· 키워드

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분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)로 성장된 InGaAs 양자점 레이저 다이오드(quantum dot laser diode, QD-LD)와 InGaAs 양자우물 레이저 다이오드(quantum well laser diode, QW-LD)의 특성을 비교하였다. 펄스 입력전류 하에서 문턱전류밀도(threshold current density, J<SUB>th</SUB>), 특성온도(characteristic temperature, To), 온도에 따른 발진파장의 변화도(dλ/dT)를 측정한 결과, 양자우물 레이저 다이오드는 J<SUB>th</SUB> = 322 A/㎠ , To = 55.2 K , dλ/dT = 0.41 ㎚/℃로 측정되었으며, 양자점 레이저 다이오드는 J<SUB>th</SUB> = 116 A/㎠ , To = 81.8 K , dλ/dT = 0.33 ㎚/℃로 측정되었다. 양자점 레이저 다이오드는 양자우물 레이저 다이오드와 비교하였을 때, 문턱전류밀도 및 발진 광 파워가 상대적으로 우수한 결과를 보여주었다.
#양자점 #양자점 레이저 다이오드 #InGaAs #quantum-dot #quantum-dot laser diode

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - [19] A. Schmidt / 1992 / Journal of Vacuum Science and Technology B 10 google schola

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박성수 ,  안도열 ,  권오대 대한전자공학회 학술대회 1991 .11

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