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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.5
- 수록면
- 136 - 143 (8page)
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RF magnetron sputtering법으로 SrBi₂Ta₂O_9 (SBT)박막을 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 증착하여 DRO 강유전체 메모리(destructive read out ferroelectric random access memory)에 사용되는 강유전체막으로 Pt/SBT/Pt/Ti/SiO₂/Si (MFM)구조의 응용가능성을 확인하였다. 구조적인 특징들이 열처리 시간의 변화와 Ar/O₂의 가스 유량비의 변화에 따라서 XRD(x-ray diffractometer)에 의해 관찰되었으며 표면 특성은 FE-SEM(field emission scanning electron microscopy)에 의해서 관찰하고 박막의 전기적 특성들은 P-V(polarization-voltage measurement)와 I-V(current-voltage measurement)를 사용하여 관찰하였다. 스퍼터링 증착시 Ar/O₂의 가스 유량비는 1:4에서 4:1까지 변화 시켰고 SBT박막은 상온에서 증착시켰다. XRD 측정시 박막들은 SBT의 (105), (110) peak들을 나타내었다. 상온에서 증착시킨 박막은 l시간, 2시간 동안 산소 분위기에서 800℃열처리를 하여 결정화 시켰다. SBT 박막의 P-V곡선은 이력 곡선의 모양을 갖추었으며 비대칭적인 강유전체 특정을 나타내었다. Ar/O₂ 가스유량비가 1:1, 2:1인 경우에 박막의 누설 전류밀도 값이 제일 좋았으며, 그 값은 3V, 5V, 7V에서 각각 3.11×10^(-8) A/㎠, 5×10^(-8) A/㎠, 7×10^(-8) A/㎠이었다. 열처리 시간을 2시간으로 증가시킨 후, 그들의 전기적 특성과 결정화특성이 개선됨을 확인하였다. AES분석 및 EPMA분석으로 SBT박막의 깊이 분포 및 조성을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 분석
4. 결론
감사의 글
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