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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.12
- 수록면
- 353 - 359 (7page)
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마그네트론 스퍼터링법으로 p형 (Bi_(0.15)Sb_(0.82))₂Te₃과 (Bi_(1-x)Sb_x)₂Te₃ 열전박막을 제조하여 스퍼터 증착조건 및 Sb₂Te₃ 함량에 따른 열전특성을 분석하였다. Coming glass 기판을 10 rpm으로 회전시키며 DC 스퍼터링법으로 300℃에서 증착한(Bi_(0.15)Sb_(0.82))₂Te₃ 박막은 (Bi,Sb)₂Te₃ 단일상으로 결정화가 완료되고 c축 우선배향성을 나타내었으며, 다른 조건으로 증착한 (Bi_(0.15)Sb_(0.82))₂Te₃ 박막보다 높은 185 ㎶/K의 Seebeck 계수를 나타내었다. p형 (Bi_(1-x)Sb_x)₂Te₃ (0.77≤x≤1.0) 박막에서는 Sb₂Te₃ 함량이 증가함에 따라 Seebeck 계수와 전기비저항이 감소하였으며 (Bi_(0.05)Sb_(0.95))₂Te₃ 조성에서 0.79×10^(-3) W/K²-m의 최대 출력인자를 나타내었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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