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저자정보
김영희 (세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) 김기수 (벤처전문대학원, 호서대학교) 김수룡 (세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) 정상진 (세라믹세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) 이윤주 (세라믹세라믹ㆍ건재부, 요업기술원) 박동선 ([주]이플러스티)
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제14권 제2호
발행연도
2003.1
수록면
62 - 66 (5page)

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VGF법을 사용하여 CuBr₂ dopant가 첨가된 Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 열전재료를 제조하였다. 이 방법을 사용하여 일방향으로 성장된 Bi₂Te/sub 2.55/Se/sub 0.45/ 잉곳의 제조가 가능하였으며 XRD 분석 결과 우선성장 방향이 (0 1 5)면임이 밝혀졌다. 본 실험을 통하여 제조한 열전재료의 Seebeck 계수와 전기전도도를 373∼523 K 범위에서 측정하였다.

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