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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제4호
발행연도
2002.12
수록면
194 - 200 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

MOCVD Copper 박막의 열처리가 Electromigration 특성에 미치는 영향 연구
이원석 ,  배성찬 ,  손승현 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 2002.12 학술저널

2000

MOCVD Copper 박막의 열처리가 Electromigration 특성에 미치는 영향 연구
이원석 ,  배성찬 ,  박병남 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2000.07 학술대회자료

초록· 키워드

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MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) Cu 박막을 여러 조건에서 열처리를 행하여 그 전기적 특성과 미세구조의 변화를 통해 적절한 열처리 조건을 찾고 그 효과를 조사하였다. Ar 1 torr, 400 ℃에서 열처리를 거친 Cu 박막의 비저항이 1.98 μΩㆍ㎝로 가장 낮게 나타났으며, 결정성의 경우도 I(₁₁₁)/I_((200))의 비가 2.03에서 3.11로 열처리를 거치지 않았을 경우와 비교해서 약 50 % 정도 향상된 값을 나타내었다. 열처리 후의 electromigration(EM) 테스트에서는 Ar 1 torr, 400 ℃에서 열처리를 거친 배선이 EM에 대한 가장 높은 저항성을 보였다. 이것은 열처리 후 낮은 비저항, (111) 결정면의 성장, 그리고 표면 거칠기의 감소에서 기인한 것이다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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