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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(2)호
발행연도
1999.8
수록면
302 - 307 (6page)

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Hot-wall epitaxy 방법으로 GaAs(100) 기판위에 고품질의 ZnSe(100) 박막을 성장하였다. 최적 성장 조건에서 성장된 ZnSe 박막은 DCRC 반치폭 값과 성장률이 각각 195 arcsec와 0.03㎛/min 이였다. 광발광 실험으로부터 기판과 박막사이의 격자부정합에 기인한 변형에 의해 분리된 I₂^U와 I₂^L 봉우리를 관측하였고 Al 이나 Cl 등이 박막에 내재된 불순물 준위를 형성함을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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