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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제3호
발행연도
2007.5
수록면
192 - 196 (5page)

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Hot wall epitaxy 방법으로 우물층의 두께를 바꾸어가며 ZnSe/CdSe/ZnSe 단일 양자우물을 성장하였다. 양자우물층의 두께는 TEM을 이용하여 측정하였다. 광발광의 세기와 반치폭의 변화로부터 양자우물층의 임계두께는 약 9 Å임을 알 수 있었다. 우물층의 두께가 임계두께 보다 작을 때 광발광과 PLE 스펙트럼의 비교로부터 stoke′s shift를 확인하였고, 이는 엑시톤 결합 에너지에 의한 것임을 알 수 있었다. 우물층의 두께에 대한 광발광 피크의 에너지 이동은 이론치와 잘 일치하였다.
#Hot wall epitaxy 방법 #ZnSe/CdSe/ZnSe 단일 양자우물 #광발광 #ZnSe/CdSe/ZnSe single quantum well #photoluminescence

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 분석
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 1982 / Numerical Data and functional Relationships in science and Technology 17 google schola

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