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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제4(1)호
발행연도
1999.11
수록면
470 - 475 (6page)

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열벽적층성장법으로 ZnS 및 ZnTe 단결정 박막을 GaAs(100)와 GaP(100) 기판에 성장하였다. 성장한 박막의 방향성 및 결정성을 알아보기 위하여 X-ray 회절과 이중 결정 요동 곡선(DCRC)을 측정하였다. 성장한 박막은 (100) 방향의 zinc-blende 구조를 갖는 단결정임을 알았다. ZnTe 단결정 박막은 93 arcsec의 아주 좋은 DCRC 반치폭 값을 얻었고 ZnS 단결정 박막도 매우 양호한 결과를 얻었다. 두께에 따른 DCRC 반치폭의 변화로부터 단결정 박막 내에 남아있는 스트레인은 격자부정합에 의한 영향뿐만 아니라 열팽창계수 차이에 의한 것도 있음을 알았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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