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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제3호
발행연도
1995.9
수록면
319 - 326 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1998

고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장
최치규 ,  강민성 ,  문종 외 3명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1995

고상 에피택셜 성장에 의한 PtSi 박막의 형성
최치규 ,  강민성 ,  이개명 외 4명 Applied Science and Convergence Technology 1995.09 학술저널
고상 에피택셜 방법에 의한 에피택셜 PtSi박막 형성
최치규 ,  강민성 ,  이계명 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 1995.06 학술대회자료

1994

동시증착에 의한 Si(111) - 7×7 기판 위에 TiSi₂ 에피택셜 성장
최치규 ,  류재연 ,  오상식 외 5명 Applied Science and Convergence Technology 1994.12 학술저널

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초고진공에서 Si(100)-2×1 기판 위에 Rt를 약 100Å의 두께로 증착한 후 in-situ로 열처리하는 고상에피택셜 성장법으로 PtSi 박막을 형성시켰다. XRD와 XPS 분석 결과 200℃로 열처리한 시료에서는 Pt₃Si, Pt₂Si와 PtSi의 상이 섞여 있었으나 500℃로 열처리한 시료에서는 PtSi의 단일상만 확인되었으며, 형성된 PtSi박막은 주상구조와 판상구조의 이중구조를 나타내었다. 기판 온도를 500℃로 유지하면서 Rt를 증착한 후 750℃에서 열처리한 경우에는 판상구조를 갖는 양질의 PtSi 박막이 에피택셜 성장되었다. HRTEM 분석 결과 에피택셜 성장된 PtSi와 기판 Si(100)의 계면은 RSi[110]//Si[110], RtSi(110)//Si(100)의 정합성을 가졌다. 판상구조를 갖는 PtSi 상의 에피택셜 방향은 기판과 열처리 온도에는 의존하나 열처리 시간에는 무관한 것으로 나타냈다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

감사의 글

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