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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제3호
발행연도
1995.9
수록면
287 - 292 (6page)

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단결정 실리콘에 P, B, As 등의 dopant를 이온주입시켰을 때 상부에 스퍼터된 Ti과 고상반응에 의해 형성된 Ti 실리사이드막에 발생되는 blister 현상에 대해 조사했다. Dopant에 관계없이 dose양이 많을수록 Ti 실리사이드막에서 blister의 크기와 밀도가 증가한다. P, B, As 중에서 As의 경우가 가장 많이 발생되었다. 이온주입시 가속에너지가 낮을수록 Ti 실리사이드막에서 blister의 크기와 밀도가 증가한다. 실리콘 표면에 dopant를 주입한 후 열처리를 하여 damage를 줄여줌으로써 blister의 양을 줄일 수 있었다. 이때 열처리온도가 높을수록 blister의 수가 감소한다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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