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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제4호
발행연도
1994.12
수록면
466 - 482 (17page)

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차세대 집적회로 제조공정에 있어 핵심기술인 선택적 단결정 실리콘 성장공정에 대한 이동현상, 열역학, 미시적 전산모사를 수행하여 다각적인 분석과 이해를 시도하였다. 첫째, 실리콘 단결정 성장 공정에 가장 많이 사용되는 배렬 반응기(barrel reactor)를 대상으로 유한요소법을 이용하여 이동현상적 이론연구를 수행하였다. 반응기내의 기체속도 분포, 온도분포, SiH₂Cl₂ 농도분포를 각각 구하였으며 압력, 기판온도, 총유량, HCI 유량변화 등의 주요공정변수가 증착율과 균일도 지수에 미치는 영향을 고찰하였다. 이러한 연구를 통하여 저온, 저압, 총유량이 많고 첨가되는 HCl 유량이 작은 경우가 균일도 확보를 위하여 적합한 조업조건임을 알 수 있었다. 둘째, Si-H-Cl계에 대한 열역학적 평형계산을 수행하여 온도, 압력, 유입기체 조성의 효과를 살펴보았으며 저온, 저압, 그리고 유입되는 기체의 Cl/H비가 낮은 경우가 선택적 실리콘 증착에 적합함을 알 수 있었다. 세째, Monte Carlo법을 이용한 선택적 실리콘 미세박막 성장패턴에 관한 이론연구를 수행하여 종횡비, 재방출, 표면확산에 따른 박막증착 패턴의 변화를 고찰하였으며 표면확산이 선택도 상실 현상의 중요한 원인이 될 수 있음을 발견하였다. 또한 최상의 선택도 확보를 위해서는 낮은 부착계수와 낮은 표면확산계수를 유지해야 됨을 알 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 이론적 배경

3. 전산모사 결과 및 고찰

4. 결론

감사

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부록

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