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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제2호
발행연도
1997.5
수록면
136 - 142 (7page)

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Au/n-GaAs(100) Schottky 장벽 diode를 제작하여 변조전압(V_(ac)) 및 dc 바이어스 전압(V_(bias)) 변화에 따른 electroreflectance(ER)를 측정하였다. 관측된 Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크로부터 이 시료의 내부 전기장(E_i)은 5.76×10⁴V/㎝였다. V_(ac)를 변화시킴에 따라 ER 신호의 모양은 변화가 없고, 진폭만 선형적으로 증가하였다. 순방향 및 역방향의 V_(bias) 변화에 따라 ER 신호의 진폭은 감소하였으며, V_(bias)가 -5.0~0.6V로 증가함에 따라 E_i는 19.3×10⁴~4.39×10⁴V/㎝로 감소하였다. 그리고 V_(bias) 변화에 대한 E_i²의 그래프로부터 built-in 전압 (V_(bi)) 은 0.70V였으며, 이 값은 V_(bias) 변화에 따른 FKO 피크의 진폭 관계 그래프에서 얻은 결과와 잘 일치하였다. 또한 이 시료의 캐리어 농도(N)와 전위장벽(φ)은 300K 에서 각각 2.4×10^(16)㎝^(-3)와 0.78eV의 값을 얻었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 이론

3. 실험

4. 결과 및 논의

5. 결론

참고문헌

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